【中玻網(wǎng)】Low-E玻璃又稱低輻射鍍膜玻璃，是在玻璃表面鍍上以銀為基礎(chǔ)的若干層金屬或其化合物薄膜，這些膜層具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性，具有良好的節(jié)能效果和光學性能。真空磁控濺射法（PVD）也稱離線法，可以實現(xiàn)復雜膜系Low-E玻璃的大規(guī)模量產(chǎn)，成為近年來Low-E玻璃的主流生產(chǎn)工藝。
　　
　　相比傳統(tǒng)的熱反射鍍膜玻璃，Low-E玻璃的鍍膜層數(shù)多也更薄，特別是近年來雙銀／三銀Low-E玻璃的推廣，有的產(chǎn)品需要沉積多達20多層不同材料的薄膜，這就對每層薄膜的質(zhì)量和均勻性提出了非常苛刻的要求。如果不能很好的控制單層薄膜的質(zhì)量和均勻性，這么多層薄膜累加后的顏色、透光率等光學不均勻性就會非常明顯。因此對現(xiàn)有的PVD鍍膜工藝來說，提高鍍膜的質(zhì)量和均勻性是一個非常關(guān)鍵的課題。
　　
　　１工藝氣體布氣均勻性
　　
　　作為膜層均勻性控制的主要手段之一，工藝氣體布氣均勻性非常重要。我們采用如下二種方法確保工藝氣體沿玻璃板寬方向分布的均勻性：
　　
　　１）布氣管路分為主管和輔管，主管由3個質(zhì)量流量計分別控制Ar、O2、N2氣的供氣量，輔管根據(jù)陰較寬度分為3～7段，每段由一個質(zhì)量流量計單獨控制工藝氣體流量，見圖1。

　　２）主管和每段輔管均采用二元布氣方式（見圖2），確保每個噴嘴的流導一致。

　　２陰較磁場強度一致性
　　
　　根據(jù)磁控濺射的原理，磁場強度越大，其對電子的束縛能力越強，相應地，該處的氣體離化程度就越高，濺射速率也就越大。準確的調(diào)整陰較磁鐵的磁場強度在寬度方向的一致性，可以有效地控制濺射速率的橫向一致性，進而控制薄膜沿寬度方向的均勻性。
　　
　　陰較磁場強度的均勻性的控制手段包括以下2個：
　　
　　１）為確保磁場的強度一致性，需要對所用磁鐵的磁場強度進行挑選，盡量選擇磁場強度一致的磁鐵。陰較裝配完畢后，采用高斯計沿陰較橫向?qū)Υ艌鰪姸冗M行掃描測量，繪出磁場強度曲線，可采用調(diào)整磁鐵到靶材距離的方法微調(diào)該處磁場強度，確保磁場沿陰較橫向的一致性。
　　
　　２）陰較使用過程中應嚴格控制冷卻水溫，并及時更換靶材，防止永磁體過熱，因其過熱不僅會導致磁場強度衰減，也會造成磁場不均現(xiàn)象。
　　
　　３鍍膜室真空度、溫度、干燥度控制
　　
　　３．１恒定的真空度
　　
　　１）根據(jù)工藝氣體流量，對分子泵抽速、數(shù)量配置和安裝位置進行合理配置。
　　
　　２）完善可靠的腔室密封，所有的動密封如傳動站、翻版閥等處均采用磁流體密封，蓋板和腔室之間采用壓差密封，即對兩道密封圈之間的空間抽真空，從而提高大型密封面的密封效果。
　　
　　３）進出片過渡室內(nèi)部各布置2～3套阻流器，減少門閥開啟閉合對鍍膜室內(nèi)真空度的擾動。
　　
　　３．２溫度控制
　　
　　陰較及鍍膜室腔體通軟化水冷卻，并對進出水的溫度和流量進行監(jiān)控。
　　
　　３．３干燥度控制
　　
　　１）玻璃清洗完畢后應確保干燥充分。
　　
　　２）生產(chǎn)線旁應布置干燥壓縮空氣（CDA）儲氣罐，在空氣濕度大的時候，進出片室在充氣時可選擇接通CDA，以減少進入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。
　　
　　３）在鍍膜室入口處設(shè)置低溫冷阱，用于捕獲進入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。